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在全球争夺AI基础设施产能背景下 ,越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情 ,产能转移造成的供需缺口正在持续放大。

在三星、铠侠、美光等国际大厂集体退出MLC(Multi-Level Cell,多层单元) NAND闪存市场的背景下,这一曾经不起眼的“老兵” ,产品价格近期暴涨300%。由此造成的供应缺口,正对汽车电子 、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响 。

NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容,MLC正如其名 ,一般采用二维平面堆叠方式,也就是2D NAND。目前行业主流已经迭代到TLC(Triple-Level Cell,三层单元)和QLC(Quad-Level Cell ,四层单元)阶段,也就是进入3D NAND维度。

因此不难发现,上游存储供应商决定将MLC逐渐停产 ,有基于产品自身迭代的因素考量,也有将更多产能留给利润空间更高的产品的考虑 。随着海外大厂陆续停产,也为国内产业链厂商带来一定发展机会。

涨价传导 ,供应断层

上游存储原厂在整体产能有限条件下 ,正退出一些薄利市场,MLC NAND就在此之列。

近期,Kioxia(铠侠)宣布停产部分旧制程产品 ,其中小容量TSOP封装产品、部分传统浮栅式(Floating Gate)2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场 。

TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器,有观点认为,此次铠侠宣布停产 ,意味着其或将退出该市场。

对此,铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道,这是基于新旧技术更替的考虑 ,也是行业普遍现象。

不止铠侠,此前三星 、SK海力士和美光,也陆续宣布 ,MLC相关产品进入生命周期终结阶段,相关产线不再扩产 。

据研究机构TrendForce集邦咨询调查,SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平 ,缺乏扩产动力。因此 ,2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%,进一步加剧供需失衡。

一名存储行业从业者也向21世纪经济报道记者分析,产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下 ,根据生命周期管理需要,对落后制程的产品进行淘汰,是行业性正常的产品开发行为 。同时 ,将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势 。

在产能极为有限的背景下,MLC NAND这类“高龄 ”产品的价格反而开始大幅上扬。

CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者,消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止 ,三星车规级MLC明年一季度停止供应,使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈,8GB eMMC最高出现110美元的极端价格。

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出 ,其月度存储追踪数据(Monthly Memory Tracker)显示,MLC NAND价格同比上涨约300% 。以16Gb MLC NAND为例,价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。

“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市(EOL)所引发的供需失衡推动。”Jeongku Choi进一步指出 ,当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快 。“从过去情况来看 ,EOL通常会在数年时间内逐步完成,但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时,AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜 ,进一步加剧了MLC供应紧张。”

MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子、医疗设备和网通等领域,这些应用对产品可靠度 、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格 。其中,汽车行业受影响最为明显。

杨伊婷对21世纪经济报道记者指出 ,车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX、仪表 、HUD 、中低端座舱等领域。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低,基本不需要用到大容量UFS,够用即可 。而车规级芯片和模块验证周期很长 ,且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年,汽车以年为单位与原厂谈年价和供应,对AI存储供需的即时变化并不敏感 ,此前一度低估了存储供应短缺的严重程度,以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心,使得汽车在存储涨价、缺货中受到的冲击最为明显。 ”

国产补位 ,商用转移

面对MLC供应断层 ,部分具备承接能力的厂商已开始行动。

TrendForce集邦咨询表示,因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层,长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏 ,相对具备承接这项利基型需求的优势 。旺宏已减少原有NOR Flash产能,以扩大MLC NAND Flash供应 。

Jeongku Choi则对记者指出,当前2D NAND供给缺口较难完全填补。“国内厂商中 ,长江存储(YMTC)具备相对最大的可用产能,但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求,以抓住AI带来的结构性机会 ,因此可用于缓解MLC短缺的空间有限。 ”

当然按照常规,终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品,因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势 。

杨伊婷对记者表示 ,除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外,国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口,同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用。

“下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移。”Jeongku Choi对记者指出 ,与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同 ,MLC NAND在性能上已被SLC超越,在成本效率上又被TLC和QLC取代,其竞争优势正在被双向压缩 。

“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本 ,而随着上游MLC供应持续收紧,这一替代趋势预计将进一步加速。”但他也提到,由此带来的BOM成本上升 ,将压缩下游厂商利润,其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显。

集邦咨询也提到,长期来看 ,MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限,且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案,或整体NAND Flash市场景气明显反转 ,MLC产品价格仍可能间接承压 。

从“大宗商品 ”到“利基奢侈品”,MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下,毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜 ,而曾经支撑汽车 、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品 ,则因单位产值低而被加速淘汰。

这一趋势短期内难以逆转,下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构 。

对于国内存储厂商而言,能否在海外巨头退出的间隙中 ,以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任,并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口,将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。

(作者:骆轶琪 编辑:包芳鸣)